Intel e Micron hanno annunciato lo sviluppo di una nuova tecnologia, denominata 3D NAND, che consente la realizzazione di chip di memoria di tipo NAND Flash - che sappiamo essere ampiamente utilizzata per la realizzazione di numerose device di storage, tra cui naturalmente gli SSD, nettamente più performanti ma anche più costosi degli HDD tradizionali o meccanici - caratterizzati un rapporto tra il prezzo per l'utente e la capacità di memorizzazione più vantaggioso.
La tecnologia Intel e Micron deve essere inquadrata come la risposta che i due partner hanno messo a punto di fonte alla soluzione V-NAND di Samsung che, in maniera analoga, prevede il superamento della struttura planare per i chip di NAND flash e l'introduzione di una struttura a celle sovrapposte verticalmente (o "a stack"), al fine di ottenere non soltanto una maggiore capacità di memorizzazione ma anche un incremento delle prestazioni.
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Intel e Micron hanno reso noto che la tecnologia 3D NAND consente l'integrazione di un numero massimo di 32 layer di celle flash in un singolo package: in altre parole, essa rende possibile produrre chip di NAND da 48GB utilizzando per ciascun layer i processi di fabbricazione in essere, ovvero senza spingere sul livello di integrazione.
Le due aziende hanno anche affermato che con la tecnologia 3D NAND sarà possibile commercializzare SSD M.2 per notebook aventi capacità dell'ordine dei 3.5TB e HDD da 2.5-inch con capacità superiori ai 10TB. A parte questi casi limite, il vantaggio potenziale della nuova tecnologia consiste nel rendere gli SSD competitivi rispetto agli HDD in termini di end user price.
La produzione in volumi dei primi chip di 3D NAND avrà inizio verso la fine del 2015 per cui i primi SSD che li utilizzano saranno disponibili nel 2016.
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